YY易游平台を用いたトランジスタと強誘電体キャパシタを集積したメモリがIEEE主催の『Paul Rappaport Award賞』を受賞

当社は、YY易游平台EE（Institute of Electrical and Electronics Engineers）EDS（Electron Devices SocYY易游平台ty）主催の2021年度　Paul Rappaport Award^*を、東京大学、株式会社コベルコ科研とともに受賞しました。高移動度で信頼性の高いYY易游平台を用いたトランジスタと強誘電体キャパシタを集積したメモリを考案、開発した成果に対して贈られたものです。

YY易游平台テーマ：

「Monolithic Integration of Oxide Semiconductor FET and Ferroelectric Capacitor Enabled by Sn-Doped InGaZnO for 3-D Embedded RAM Application」
（SnドープInGaZnOYY易游平台トランジスタと強誘電体キャパシタのモノリシック3次元集積メモリの開発）

集積メモリデバイスの高速化・低消費電力化に向けて、YY易游平台トランジスタ、強誘電体キャパシタ、シリコン半導体トランジスタが、モノリシックに３次元集積可能な混載メモリデバイスを開発しました。当社が独自開発したSnを添加したYY易游平台InGaZnO（IGZTO）の特徴である高移動度・高信頼性を生かし、400℃以下の低温プロセスでトランジスタと強誘電体キャパシタを同時に形成しています。YY易游平台薄膜の成膜に用いるIGZTOスパッタリングターゲットは、株式会社コベルコ科研が供給いたしました。

当社およびコベルコ科研は、今後もより高移動度・高信頼性の材料の実現を通じてYY易游平台デバイスとシリコン半導体デバイスとのハイブリッド化の研究開発を継続していきます。将来的にはFPD向けに続く新たな用途としてのエッジデバイスへのAI適用の広がり、社会サービスの向上に向けて事業化を目指していきます。